반도체 29

반도체 레이아웃 직무 레벨 별 업무

반도체 레이아웃 업무는 경력과 기술 수준에 따라 요구되는 지식과 책임이 달라지며, 각 레벨에서 중요한 역할을 수행합니다. 경험이 쌓일수록 레이아웃 설계의 세부적인 기술뿐만 아니라, 팀 관리와 프로젝트 최적화 능력이 강조됩니다. 전체적인 레이아웃 업무의 구조는 간단하게 나뉩니다.     Junior 레벨(선임 엔지니어) 반도체 레이아웃 초급 업무는 기본적인 레이아웃 작업과 EDA 툴 사용법을 배우며, 상위 설계자의 지시에 따라 작업을 수행합니다. 주로 단순 블록 레이아웃이나 수정 작업을 진행하며, DRC(Design Rule Check)을 준수하고 배선(Routing) 및 간단한 배치 작업(Place)을 담당합니다. EDA 툴 사용 능력이 필요하며(주로 Cadence社의 Virtuoso), DRC와 LVS..

반도체 레이아웃 직무 취업 구간

먼저 반도체 기업형태를 확인 할 필요가 있습니다.관련 글 경로입니다. 반도체 기업 형태(IDM, IP기업, 팹리스, 디자인하우스, 파운드리, OSAT) (tistory.com) 반도체 기업 형태(IDM, IP기업, 팹리스, 디자인하우스, 파운드리, OSAT)반도체 기업형태는 반도체 생산 단계에 따라 어떤부분을 맡아서 하느냐에 따라 다르게 불린다. 1. 종합 반도체 기업 (IDM , Integrated Device 반도체 생산 과정을 종합적으로 갖춘 기업 한 회사에서가miniva.tistory.com   반도체 레이아웃 직무가 필요한 구간은 설계부터 웨이퍼 생산까지입니다.설계직무에 있지만 공정Mask 직전 단계까지 진행하는데다가,  양산을 위해서 분석업무도 진행해야하기 때문에 웨이퍼 생산에 직, 간접적으로..

반도체 직무 소개 (설계)

반도체 제조 단계에서 설계는 앞단에 존재합니다. 한번 공정에 들어가게 된다면 수개월이 걸리기 때문에 각종 EDA( Electronic Design Automation)들의 도움을 받아 실제 웨이퍼 테스트와 가깝게 수많은 시뮬레이션을 진행하게 됩니다.직접 테스팅하는 과정을 제외하고는 컴퓨터 안에서만 작업이 가능하기 때문에 수많은 팹리스 업체들이 기본적으로 갖추고 있는 역량입니다. 반도체 설계 직무는 디지털 및 아날로그 회로 설계를 통해 반도체 칩의 구조와 기능을 개발하고 최적화하는 역할을 수행합니다. 반도체 설계 엔지니어는 전자기기에서 핵심적인 역할을 하는 칩의 성능을 극대화하고, 파워 효율과 속도를 높이기 위해 회로 설계부터 테스트, 검증까지의 과정을 총괄합니다. 주로 Design, Verificatio..

MIMO에 대해서

MIMO는 "Multiple Input Multiple Output"의 약어로, 무선 통신에서 사용되는 기술입니다. MIMO 시스템은 여러 개의 안테나를 사용하여 동시에 여러 개의 데이터 스트림을 전송하고 수신하는 기술입니다. 이는 전송하는 데이터의 대역폭을 효과적으로 활용하고, 신호 간의 간섭을 줄여 전송 속도와 신뢰성을 향상시킵니다. MIMO는 주로 LTE, Wi-Fi, 5G 등과 같은 고속 무선 통신 시스템에서 사용되며, 대역폭 효율성과 신호 간섭 감소를 통해 높은 데이터 전송률을 제공합니다.   수천 개의 안테나가 기저대역 샘플을 공통 처리 장치로 전송해야 하는 경우 전송 용량 요구 사항이 극도로 높을 수 있습니다. 분산 처리 아키텍처, 최적화된 자원 할당 방안, 회로 구현 및 프로토 타입이 필요..

FPGA vs ASIC

1. ASIC"  Application Specific Integrated Circuit "주문형(맞춤형) 반도체로 트랜지스터와 연결선이 놓여질 위치에 제한을 두지 않은 반도체 설계 방식이다. FPGA보다 저렴하고 빠르며 전력 효율이 좋다. 하지만 칩이 한 번 완성되면 수정이 어렵기 때문에 초기 비용이 많이 들어 충분한 검증의 과정이 필요하다. 이러한 특징에 따라 대량 생산에 적합하다. 일반적으로 ASIC으로 칩을 생산하기 전에 FPGA를 사용하여 회로를 검증하게 된다. 2. FPGA" Field Programmable Gate Array "FPGA는 다른 프로세서들과는 비교 안되는 독보적인 유연성이 그 특징이다. 프로그램 알고리즘에 따라 프로세싱이나 병렬 계산 속도를 높일 수 있으며, 게이트 수, 지원..

[공정] Antenna Effect / Antenna Rule / Antenna Diode

Antenna Effect는 Channel 면적이 작을수록 문제가 생길 여지가 크기 때문에 갈수록 어려워지는 불량종류입니다. 1. Antenna Effect 플라즈마에 의해 gate oxide가 damage를 입는 것으로, 검출은 oxide가 깨짐으로써 STBY current가 줄줄 새는 걸로 알 수 있습니다. 이러한 문제는 수율과 신뢰성에 큰 영향을 끼칩니다. 주로 MOS 공정중에 ETCH 공정에서 일어납니다. ETCH를 위해 plasma를 쓰게 되는데 면적이 넓을수록, 두께가 두꺼울수록, 많은 양의 plasma가 쌓이고 일정이상 쌓인 plasma는 빠져나갈 데를 찾다가 gate oxide의 Breakdown Voltage를 넘어서는 순간 gate oxide를 통해 한번에 빠져나가면서 damage를 주..

반도체 인력 해외 이직 금지 정당?

2022년 1월에 '국가첨단전략산업 경쟁력 강화 및 보호에 관한 특별법'(반도체특별법)이 국회를 통과했다. 제정 당시에는 반도체 해외이직금지법이 아니냐 말이 많았고, 해외이직금지를 직접 제재를 하고 있지않고 기술 유출 시에만 처벌을 한다면서 특별법 제50조의 ‘전략기술을 외국에서 사용하거나 사용되게 할 목적으로 제15조제5호부터 제8호까지(전략기술 유출 및 침해행위 금지)의 어느 하나에 해당하는 행위를 한 자는 20년 이하의 징역 또는 20억원 이하의 벌금에 처한다 는 벌칙 조항은 단순 이직 행위에는 적용 하지 않는다 라고 했지만, 이번에 해외이직금지에도 범용적으로 접근가능하다는 것을 보여줬다. 삼성전자에서 반도체 설계를 했던 핵심 직원이 퇴사하자마자, 그것도 미국 경쟁사에 입사한 일이 있었습니다. 삼성..

메모리의 종류 및 현황

메모리의 종류입니다. 위로 갈수록 빠르고 아래로 갈수록 bit당 Cost. 즉 저렴합니다. 붉은색 계열의 위에 3개 층은 휘발성 메모리이고, 그 아래로는 비휘발성 메모리입니다. DRAM이나 Flash, HDD(하드디스크)는 많이 들어본 메모리 종류입니다. CPU - Flip-Flop으로 가장 빠르다 Cache - SRAM Persistent Memory - 생소해 보일수도 있지만 비휘발성이고 Flash보다 매우 빠르게 동작하는 메모리들을 전체적으로 일컫는 말입니다. 요런 NVDIMM-N/NVDIMM-P 모듈을 포함합니다. 뉴메모리시대로 가면서 비휘발성이면서 빠르고, 싼 메모리에 대한 니즈가 커지고 있습니다. 아직 이 Persistent Memory에서 어떤 메모리가 가장 스타 메모리가 될지는 모릅니다. ..

[제품] STT-MRAM / MRAM

MRAM은 동작 속도가 빠르고 비휘발성을 가지고 있기 때문에 차세대 메모리소자로써 주목받고 있다. 게다가 자성을 이용하기 때문에 안정성과 내구성이 우수한 장점이 있다. 그 중 STT-MRAM은 기존 MRAM이 가지고 있던 소형화, 자기장에 의한 비선택 셀의 저장 상태 변화를 개선하기 위해 개발되었다. STT-MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) 소자를소자를 포함하는데 MTJ 소자는 자유층, 터널링 옥사이드 , 고정층으로 구성되어 정보를 저장하는데, 자유층 자성체의 자화 방향과 고정층 자성체의 자화 방향이 서로 평행(P)하냐 역평행(AP)하냐에 따라 두 층사이의 저항이 크게 달라지는 것을 이용하여 0과 1의 상태를 표현한다. 평행 상태일 경우에는 낮은 저항상태(RL)를 가지며 0..

[제품] PRAM

PCM은 원자 배열에 따라 크게 다른 전기적 특성을 나타내는 Ge(게르마늄), Te(텔루륨) 및 Sb(안티몬)의 특정 화합물의 특성을 기반으로 합니다. 이러한 재료는 무질서한 비정질 상, 즉 amorphous 상태에서, 매우 높은 저항을 갖는 반면, 정렬된 결정상, crystalline상태에서는 저항이 매우 낮습니다. PCM device는 두 전극 사이에 끼워진 이 상변화 물질로 구성됩니다. 메모리 어레이에서 PCM device는 일반적으로 1 T1 R 구성이라고 하는데, field-effect 트랜지스터(FET)와 같은 액세스 장치와 직렬로 배치됩니다. 충분히 높은 진폭의 전류 펄스, 즉 RESET 펄스가 PCM 장치에 적용될 때, phase-change 물질의 상당 부분이 줄 heating으로 인해 ..