하이닉스는 PUC(Peri Under Cell) , 삼성전자는 COP(Cell On Peri)라고 부르는 구조입니다. 이전에 3D VNAND가 CELL은 적층하고 Peri는 같은 층에 둬서 건축물로 치면 아파트 + 상가라고 하면 PUC, COP는 상가가 밑에 있는 주상복합의 형태입니다. 3D VNAND의 Peri가 차지하는 면적을 줄일 수 있기 때문에 전체적으로 봤을 때 약 30%의 칩사이즈가 줄어듭니다. 단점으로는 Cell 더 올라가기 때문에 Cell동작의 성능이 열화 되고 Cell을 올리기 때문에 Peri와 Cell 간의 배선이 어려워지게 됩니다. 게다가 Peri 공정 후에 Cell공정이 들어가기 때문에 열공정으로 인한 안 좋은 영향을 Peri가 받게 됩니다. 이러한 단점을 안고서라도 면적에 대한 이..