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[제품] 4D VNAND Flash

하이닉스는 PUC(Peri Under Cell) , 삼성전자는 COP(Cell On Peri)라고 부르는 구조입니다. 이전에 3D VNAND가 CELL은 적층하고 Peri는 같은 층에 둬서 건축물로 치면 아파트 + 상가라고 하면 PUC, COP는 상가가 밑에 있는 주상복합의 형태입니다. 3D VNAND의 Peri가 차지하는 면적을 줄일 수 있기 때문에 전체적으로 봤을 때 약 30%의 칩사이즈가 줄어듭니다. 단점으로는 Cell 더 올라가기 때문에 Cell동작의 성능이 열화 되고 Cell을 올리기 때문에 Peri와 Cell 간의 배선이 어려워지게 됩니다. 게다가 Peri 공정 후에 Cell공정이 들어가기 때문에 열공정으로 인한 안 좋은 영향을 Peri가 받게 됩니다. 이러한 단점을 안고서라도 면적에 대한 이..

[제품] 낸드 플래쉬(NAND Flash)란?

NAND Flash는 플래시 메모리의 한 형태로 비휘발성 메모리이다. 데이터를 자유롭게 읽기, 저장, 삭제가 가능하고 전원이 꺼지더라도 데이터가 보존된다. 디지털카메라나 스마트폰, USB, SSD 등 대용량 저장 장치로 사용된다. 노어플래시(NOR Flash)와는 다르게 셀이 직렬로 연결되어 있기 때문에 읽기 속도가 느리다. 집적도가 매우 높기 때문에 낮은 제조단가로 높은 용량의 칩을 만들 수 있기 때문에 플래시메모리 구조로 선호된다. 결국 데이터를 저장한다는 것은 0과 1로 구분가능하다는 뜻이다. 이렇게 구분가능하게끔 데이터를 저장하는 부분을 셀이라 하고 이 셀의 상태에 따라 0과 1을 알 수 있다. -어떤 구조인가? 데이터를 읽고, 쓰려면 어떤 셀인지 고를 수 있는 좌표설정을 해야한다. 그런 좌표 설..