책읽는 공돌이

MRAM은 동작 속도가 빠르고 비휘발성을 가지고 있기 때문에 차세대 메모리소자로써 주목받고 있다. 게다가 자성을 이용하기 때문에 안정성과 내구성이 우수한 장점이 있다. 그 중 STT-MRAM은 기존 MRAM이 가지고 있던 소형화, 자기장에 의한 비선택 셀의 저장 상태 변화를 개선하기 위해 개발되었다. STT-MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) 소자를소자를 포함하는데 MTJ 소자는 자유층, 터널링 옥사이드 , 고정층으로 구성되어 정보를 저장하는데, 자유층 자성체의 자화 방향과 고정층 자성체의 자화 방향이 서로 평행(P)하냐 역평행(AP)하냐에 따라 두 층사이의 저항이 크게 달라지는 것을 이용하여 0과 1의 상태를 표현한다. 평행 상태일 경우에는 낮은 저항상태(RL)를 가지며 0..

PCM은 원자 배열에 따라 크게 다른 전기적 특성을 나타내는 Ge(게르마늄), Te(텔루륨) 및 Sb(안티몬)의 특정 화합물의 특성을 기반으로 합니다. 이러한 재료는 무질서한 비정질 상, 즉 amorphous 상태에서, 매우 높은 저항을 갖는 반면, 정렬된 결정상, crystalline상태에서는 저항이 매우 낮습니다. PCM device는 두 전극 사이에 끼워진 이 상변화 물질로 구성됩니다. 메모리 어레이에서 PCM device는 일반적으로 1 T1 R 구성이라고 하는데, field-effect 트랜지스터(FET)와 같은 액세스 장치와 직렬로 배치됩니다. 충분히 높은 진폭의 전류 펄스, 즉 RESET 펄스가 PCM 장치에 적용될 때, phase-change 물질의 상당 부분이 줄 heating으로 인해 ..