MRAM은 동작 속도가 빠르고 비휘발성을 가지고 있기 때문에 차세대 메모리소자로써 주목받고 있다. 게다가 자성을 이용하기 때문에 안정성과 내구성이 우수한 장점이 있다. 그 중 STT-MRAM은 기존 MRAM이 가지고 있던 소형화, 자기장에 의한 비선택 셀의 저장 상태 변화를 개선하기 위해 개발되었다. STT-MRAM의 magnetic tunnel junction(MTJ) 소자를소자를 포함하는데 MTJ 소자는 자유층, 터널링 옥사이드 , 고정층으로 구성되어 정보를 저장하는데, 자유층 자성체의 자화 방향과 고정층 자성체의 자화 방향이 서로 평행(P)하냐 역평행(AP)하냐에 따라 두 층사이의 저항이 크게 달라지는 것을 이용하여 0과 1의 상태를 표현한다. 평행 상태일 경우에는 낮은 저항상태(RL)를 가지며 0..
